企业简介
东莞市中镓半导体科技有限公司 main business:设计、研发及产销：半导体材料、器件、生产设备、检测设备及其配件、软件；半导体技术的咨询；货物进出口、技术进出口。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 东莞市企石镇科技工业园.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
东莞市中镓半导体科技有限公司的工商信息
- 441900000467097
- 914419006844126701
- 存续
- 其他有限责任公司
- 2009-01-12
- 陈健民
- 13000万元人民币
- 2009-01-12 至 永久
- 东莞市工商行政管理局
- 东莞市企石镇科技工业园
- 设计、研发及产销：半导体材料、器件、生产设备、检测设备及其配件、软件；半导体技术的咨询；货物进出口、技术进出口。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
东莞市中镓半导体科技有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 7420229 |  |
MAILO | 2009-05-25 | 氨；镓；氧化铝；氮化物；烧结用陶瓷合成物(颗粒和粉末)；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；工业化学品；硅酮、硅树脂、聚硅氢；人造树胶；粘接剂(冶金) | 查看详情 |
| 2 | 7420231 |  |
中镓半导体 SINO NITRIDE | 2009-05-25 | 技术研究；材料测试；物理研究；机械研究；节能领域的咨询；质量检测；化学研究；测量 | 查看详情 |
| 3 | 7420234 |  |
中镓半导体 SINO NITRIDE | 2009-05-25 | 氮化物 | 查看详情 |
| 4 | 7420232 |  |
中镓半导体 SINO NITRIDE | 2009-05-25 | 信号遥控电子启动设备；光通讯设备；激光导向仪；非医用激光器；光学器械和仪器；晶片(锗片)；半导体；半导体器件；电开关；电弧切割设备 | 查看详情 |
| 5 | 7420226 |  |
MAILO | 2009-05-25 | 技术研究;材料测试;工业品外观设计;计算机软件设计;物理研究;机械研究;节能领域的咨询;质量检测;化学研究;测量; | 查看详情 |
| 6 | 7420233 |  |
中镓半导体 SINO NITRIDE | 2009-05-25 | 电子工业设备；光学冷加工设备；雕刻机；磨光玻璃抛光机；切割机；电线印号机；角向磨光机；气体分离设备；气动焊接设备；机器、马达和发动机连杆 | 查看详情 |
| 7 | 7420228 |  |
MAILO | 2009-05-25 | 电子工业设备；光学冷加工设备；雕刻机；磨光玻璃抛光机；切割机；电线印号机；角向磨光机；气体分离设备；气动焊接设备；机器、马达和发动机连杆 | 查看详情 |
| 8 | 7420227 |  |
MAILO | 2009-05-25 | 半导体；半导体器件；电弧切割设备；电开关；非医用激光器；光通讯设备；光学器械和仪器；激光导向仪；晶片(锗片)；信号遥控电子启动设备 | 查看详情 |
东莞市中镓半导体科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106067492A | 在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法 | 2016.11.02 | 本发明公开了一种在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为98 |
| 2 | CN106033787A | 一种采用MOCVD技术制备具有阶梯式量子阱结构近紫外LED的方法 | 2016.10.19 | 本发明提供一种采用MOCVD技术制备具有阶梯式量子阱结构的高亮度近紫外LED的方法。本发明为其峰值波 |
| 3 | CN105648524A | 一种异质衬底表面改性调控基片弯曲度的方法 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种表面处理技术对异质衬底表面进行物理化学改性，使两表面呈现不同表面态，再通过HVPE技 |
| 4 | CN105986314A | 一种用于气相外延生长半导体单晶材料的反应器 | 2016.10.05 | 本发明提供了一种用于气相外延生长半导体单晶材料的反应器，本发明提供的反应器由挡板、进气管道、倒梯形圆 |
| 5 | CN106238414A | 一种用于清洗Source的支架 | 2016.12.21 | 一种用于清洗Source的支架，包括镓舟支撑件、进气管固定件和滑轨，所述镓舟支撑件包括镓舟支撑横梁和 |
| 6 | CN106229389A | 一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法 | 2016.12.14 | 一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法，包括以下步骤，首先在N<sub>2</sub>气氛， |
| 7 | CN106191989A | 一种HVPE设备用镓舟反应器 | 2016.12.07 | 一种HVPE设备用镓舟反应器，包括进气管、圆筒形侧壁、底部和顶盖，所述底部与圆筒形侧壁连接成一个容器 |
| 8 | CN106611809A | 一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法 | 2017.05.03 | 一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延 |
| 9 | CN106531862A | 一种GaN基复合衬底的制备方法 | 2017.03.22 | 一种GaN基复合衬底的制备方法，该GaN基复合衬底由下往上依次包括导热导电转移衬底、键合介质层及Ga |
| 10 | CN106499904A | 一种耐高温的密封结构 | 2017.03.15 | 一种耐高温的密封结构，包括流量管和支架座，所述支架座上设有通孔和密封腔，该密封腔具有窄口端和广口端， |
| 11 | CN106467980A | 一种大型垂直式HVPE反应室的装配辅助装置 | 2017.03.01 | 本发明一种大型垂直式HVPE反应室的装配辅助装置，由顶法兰、吊装承重柱、精度调节承重板组成。所述吊装 |
| 12 | CN106435524A | 一种垂直式HVPE生长设备用温场装置 | 2017.02.22 | 一种垂直式HVPE生长设备用温场装置，包括反应器和加热器，该反应器下部套装在加热器内，加热器内设置有 |
| 13 | CN106449912A | 一种带应力平衡结构层的GaN基复合衬底及其制备方法 | 2017.02.22 | 一种带应力平衡结构层的GaN基复合衬底及其制备方法，该衬底包括导热导电转移衬底、键合介质层、GaN基 |
| 14 | CN103762287B | 一种新型图形化衬底及其制备方法 | 2017.02.08 | 本发明公布了一种新型图形化衬底以及制备方法，该衬底图形为非周期性的阵列结构，图形排布具有长程有序而短 |
| 15 | CN106367733A | 一种清除HVPE设备管道尾气沉积物的装置及方法 | 2017.02.01 | 本发明公开了一种清除HVPE设备管道尾气沉积物的装置及方法。本发明设计包括了腔体与管道连接过渡区、固 |
| 16 | CN205893458U | 一种提高氯化氢转化为氯化镓效率的装置 | 2017.01.18 | 一种提高氯化氢转化为氯化镓效率的装置，用于氢化物气相外延生长材料，包括反应器、风车以及盛装容器，反应 |
| 17 | CN106328771A | 一种在金属氮化镓复合衬底上外延无裂纹高晶体质量LED外延层的方法 | 2017.01.11 | 本发明一种在金属氮化镓复合衬底上外延无裂纹高晶体质量LED外延层的方法：首先在N<sub>2</su |
| 18 | CN106321877A | 一种大通道尺寸真空插板阀 | 2017.01.11 | 本发明涉及一种真空阀门，具体的涉及一种大通道尺寸真空插板阀，包含阀体、阀舌、阀舌驱动器和压力平衡结构 |
| 19 | CN106299038A | 一种制备具有掺杂浓度及Al组分阶梯式变化的p型AlGaN/AlInGaN电子阻挡层近紫外LED的方法 | 2017.01.04 | 本发明提供一种制备具有掺杂浓度及Al组分阶梯式变化的p型AlGaN/AlInGaN电子阻挡层近紫外L |
| 20 | CN106141900A | 一种高效率研磨抛光GaN晶片的方法 | 2016.11.23 | 一种高效率研磨抛光GaN晶片的方法。本发明提出一种高效率研磨GaN晶片的光电化学机械抛光方法。本发明 |
| 21 | CN106033788A | 一种采用MOCVD技术制备370-380nm高亮度近紫外LED的方法 | 2016.10.19 | 本发明提供一种采用MOCVD技术制备高亮度370-380nm近紫外LED的方法。其LED外延结构从下 |
| 22 | CN105986313A | 一种镓源自动补给及回收装置 | 2016.10.05 | 本发明公开了一种镓源自动补给及回收装置，设计了一种含镓舟、连通器、控制阀、附加镓舟、加热器、液位控制 |
| 23 | CN105990182A | 一种清除III族混晶氮化物沉积物的回收装置及方法 | 2016.10.05 | 本发明公开了一种清除HVPE设备中III族混晶氮化物沉积物的回收装置及方法。本发明设计包括了主槽、防 |
| 24 | CN105932130A | 一种具有新型电子阻挡层的近紫外LED及其制备方法 | 2016.09.07 | 本发明一种具有新型电子阻挡层的近紫外LED及其制备方法，其近紫外LED外延片结构包括：图形化蓝宝石衬 |
| 25 | CN105887048A | 一种自调导热使温度均匀化的MOCVD大尺寸不等厚度石墨托盘 | 2016.08.24 | 本发明提供一种自调导热使温度均匀化的MOCVD大尺寸不等厚度石墨托盘，所述石墨托盘，通过石墨托盘石墨 |
| 26 | CN105895672A | 一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底 | 2016.08.24 | 本发明公开一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底。所述离子注入改善型衬底，利用离子注入 |
| 27 | CN105862132A | 一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法：将从盛放液态Ga的Ga舟通入的HCl |
| 28 | CN105870044A | 一种自调导热使温度分布均匀化的MOCVD大尺寸石墨托盘 | 2016.08.17 | 本发明一种自调导热使温度分布均匀化的MOCVD大尺寸石墨托盘，利用在石墨托盘背面设置的、其对热辐射的 |
| 29 | CN103378221B | 一种制备GaN生长用图形化蓝宝石衬底的方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种制备GaN生长用图形化蓝宝石衬底的方法。首先，在蓝宝石衬底上制备一层SiO<sub> |
| 30 | CN105720141A | 一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法 | 2016.06.29 | 本发明提出一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法，通过在蓝宝石外延的晶体材料中预生长一层激光阻挡层，该激 |
| 31 | CN101879657B | 固体激光剥离设备和剥离方法 | 2016.06.29 | 本发明提供了一种固体激光剥离设备，其中包括固体激光器，光束整形镜，振镜电机，振镜镜片和场镜，还包括移 |
| 32 | CN103579471B | 一种带有防止金属扩散保护层的复合衬底 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种带有防止金属扩散保护层的复合衬底，包括一熔点大于1000℃的导热导电层和位于该导热导 |
| 33 | CN105679650A | 一种在Si衬底上制备高迁移率AlGaN/GaN电子功率器件的方法 | 2016.06.15 | 本发明提供一种在Si衬底上制备高迁移率AlGaN/GaN电子功率器件的方法。先在Si衬底上采用金属有 |
| 34 | CN105590841A | 一种制备氮化镓自支撑衬底的无碎裂纹激光剥离方法 | 2016.05.18 | 本发明公开一种制备氮化镓自支撑衬底的无碎裂纹激光剥离方法，在氮化镓/蓝宝石复合衬底与激光剥离载物台间 |
| 35 | CN205184585U | 一种用于大直径石英外套管安装的辅助夹具 | 2016.04.27 | 本实用新型一种用于大直径石英外套筒安装的辅助夹具，包括两个U型支撑支架、一对弧面弹力夹子。通过U型支 |
| 36 | CN205188475U | 一种用于夹持石英腔体的安装装置 | 2016.04.27 | 本实用新型公开了一种用于夹持石英腔体的安装装置，它主要由一对半环柱弧面形夹持支架和紧固装置构成；在夹 |
| 37 | CN105514224A | 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法。先在蓝宝石衬底上制备GaN单晶外延层； |
| 38 | CN105514231A | 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底,包括一熔点大于1000℃的导热导电衬底、位于该衬 |
| 39 | CN105448776A | 一种等离子体干法刻蚀用的托盘系统 | 2016.03.30 | 本发明设计半导体加工技术领域。本发明通过引入石墨烯材料或石墨烯复合材料层来提高晶片表面散热能力和改善 |
| 40 | CN205057874U | 一种用于石英外套管安装的夹具 | 2016.03.02 | 本实用新型一种用于石英外套管安装的夹具，包括导轨承重框架、夹板、缓冲垫、定位杆，所述夹板包含滑动夹板 |
| 41 | CN105352324A | 一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法 | 2016.02.24 | 本发明公开了一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法，其结构特征为：主要包括内支撑杆、内杆活动连接结构 |
| 42 | CN103456593B | 一种改进多片式外延材料厚度分布均匀性的氢化物气相沉积装置与方法 | 2016.02.10 | 本发明公开了一种改进多片式外延材料厚度分布均匀性的氢化物气相沉积装置与方法，改善大面积多片式GaN薄 |
| 43 | CN105304770A | 一种具有Al组分及厚度阶梯式渐变的量子垒结构的近紫外LED制备方法 | 2016.02.03 | 本发明提供一种具有Al组分及厚度阶梯式渐变的量子垒结构的近紫外LED制备方法，其峰值波长范围在390 |
| 44 | CN103305909B | 一种用于GaN生长的复合衬底的制备方法 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种用于GaN生长的复合衬底的制备方法。先在蓝宝石衬底上生长GaN单晶外延层，然后将该G |
| 45 | CN105161582A | 一种采用MOCVD技术制备深紫外LED的方法 | 2015.12.16 | 本发明提供一种采用MOCVD技术制备深紫外LED方法，其特点是：在AlN和n-AlGaN接触层之间插 |
| 46 | CN103367209B | 一种液体辅助激光剥离方法 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种液体辅助激光剥离方法，优化激光剥离技术，促使激光剥离技术更广泛的应用。本发明的激光剥 |
| 47 | CN101879657A | 固体激光剥离设备和剥离方法 | 2010.11.10 | 本发明提供了一种固体激光剥离设备，其中包括固体激光器，光束整形镜，振镜电机，振镜镜片和场镜，还包括移 |
| 48 | CN101882578A | 固体激光剥离和切割一体化设备 | 2010.11.10 | 本发明提供了一种兼具固体激光剥离功能和激光切割功能的一体化新型设备，其中包括固体激光器，光束整形镜， |
| 49 | CN302844034S | 雾灯 | 2014.06.11 | 1．本外观设计产品的名称：雾灯。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于汽车雾灯。3．本外观设计 |
| 50 | CN204644465U | 一种新型的MOCVD喷淋头清洁用刷头 | 2015.09.16 | 本实用新型公开一种新型的MOCVD喷淋头清洁用刷头，主要借助快速抽气圆环、软圆环挡圈(设置在快速抽气 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 东莞市中镓半导体科技有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 东莞市中镓半导体科技有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
